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Untersuchungen zur in situ Bildung oxidischer Verschleißschutzschichten bei Temperaturen bis 800 °C im Stoffsystem SiC-TiC-TiB 2 und Entwicklung eines Verschleißmodells
- "Untersuchungen zur in situ Bildung oxidischer Verschleißschutzschichten bei Temperaturen bis 800 °C im Stoffsystem SiC-TiC-TiB 2 und Entwicklung eines Verschleißmodells"